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场效应MOS管TK5A53D参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:525VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK5A53D是一款由东芝公司生产的N沟道MOSFET,具有出色的开关性能和低导通电阻,被广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍TK5A53D的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:TK5A53D常用于电源管理电路中,特别是在DC-DC转换器和电池管理系统中。这些应用要求高效的电流传输和低功耗,而TK5A53D的低导通电阻和快速开关速度正好满足这些需求。

    2. 马达驱动:在马达控制和驱动电路中,TK5A53D凭借其高耐压和大电流处理能力,能够有效驱动直流马达和步进马达。这使其在工业自动化和家用电器中得到广泛应用。

    3. 负载开关:TK5A53D适用于电子设备中的负载开关应用,如笔记本电脑、智能手机等便携式设备。其低导通电阻确保了低损耗和高效率,延长了设备的电池寿命。

    4. 照明系统:在LED照明驱动电路中,TK5A53D被用作开关元件,控制电流的通断。其高开关速度和低损耗特性有助于提高LED照明系统的效率和寿命。

    5. 通信设备:TK5A53D在通信设备中用于射频功率放大器和天线开关电路。其低噪声和高线性度性能使其适用于需要高信号完整性的通信应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK5A53D的导通电阻(R_DS(on))非常低,典型值仅为4.5毫欧姆。这意味着在相同电流条件下,它会产生更少的功耗和热量,有助于提高电路的整体效率。

    - 高耐压:TK5A53D具有60V的漏源极耐压(V_DS),适用于高压应用场景。这一特性使其在高压电源和马达驱动电路中表现优异。

    - 大电流处理能力:TK5A53D的最大漏极电流(I_D)为50A,能够处理大电流负载。这使其在需要大电流传输的应用中,如电源管理和马达驱动,表现出色。

    - 快速开关速度:TK5A53D具有较快的开关速度,确保了在高频开关应用中的低损耗和高效率。其开关时间(t_on和t_off)分别为10ns和25ns,适合高频开关电路设计。

    - 低栅极电荷:TK5A53D的栅极电荷(Q_g)较低,典型值为60nC。这意味着在开关过程中所需的驱动电流较小,有助于降低驱动电路的功耗,提高整体系统的效率。

    综上所述,TK5A53D以其低导通电阻、高耐压、大电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优异参数特点,广泛应用于电源管理、马达驱动、负载开关、照明系统和通信设备等领域。其出色的性能表现使其成为许多电子工程师在设计高效电路时的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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