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场效应MOS管TK5A50D参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK5A50D是一款由Toshiba(东芝)生产的高效MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有出色的性能参数和广泛的应用场景,是电子工程师们在电路设计中常用的一种器件。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:TK5A50D常用于电源管理系统中,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。这些系统需要高效的电能转换和稳定的输出电压,TK5A50D以其低导通电阻和快速开关速度满足了这一需求,能够有效降低能量损耗,提高电源效率。

    2. 马达驱动:在马达驱动应用中,TK5A50D作为开关元件使用。它可以应用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中。其高电流处理能力和低导通电阻确保了驱动电路的高效运行,并且能够在高频率下稳定工作,适用于需要精确控制的场合。

    3. 负载开关:TK5A50D也被广泛应用于负载开关电路,用于控制大功率负载的开关。它能够快速响应控制信号,实现负载的高效切换,广泛应用于工业控制和家电设备中,如智能插座和电机控制系统。

    4. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器应用中,TK5A50D作为关键的功率开关元件,能够承受高电压和大电流的操作需求。其高效的开关性能使得逆变器和变频器能够在高效能和高可靠性下运行,适用于太阳能逆变器和风能发电系统等绿色能源领域。

    5. 电池管理系统:TK5A50D在电池管理系统中也有广泛应用,特别是在锂离子电池的充电和放电管理中。它能够精准控制充电电流和放电电流,保护电池组安全,延长电池寿命,是电动车和储能系统中不可或缺的组件。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK5A50D的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为0.08Ω。这意味着在开通状态下,电流通过晶体管时产生的压降和功耗较低,能够提高整体电路的效率,特别适用于高效率的电源和驱动电路。

    - 高击穿电压:TK5A50D具有500V的高击穿电压,使其能够在高压环境下稳定运行,适用于需要高电压耐受的应用场景,如工业控制和电源管理系统。

    - 大电流处理能力:TK5A50D能够处理高达5A的电流,这使得它能够驱动大功率负载,如马达和大功率LED。在需要高电流传输的电路中,TK5A50D的性能尤为出色,能够确保电流的稳定传输和负载的可靠驱动。

    - 快速开关速度:TK5A50D具有快速的开关速度,能够在纳秒级时间内完成开关转换。这一特点使其非常适合用于高频率的开关电路,如高频变换器和数字电路中,能够显著提高电路的响应速度和效率。

    - 出色的热性能:TK5A50D具备良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其热阻(Rth)较低,散热性能优异,能够有效地将工作过程中产生的热量散发出去,保证晶体管在高功率状态下的可靠运行,延长器件的使用寿命。

    通过上述详细介绍可以看出,TK5A50D不仅具备卓越的电性能,还拥有广泛的应用场景,是现代电子设计中不可或缺的高效MOSFET器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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