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场效应MOS管TK50A04K3参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0035ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK50A04K3是一款具有广泛应用场景和独特参数特点的N沟道功率MOSFET。以下是对其应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:TK50A04K3常用于各种电源管理系统中,如DC-DC转换器和AC-DC适配器。这款MOSFET具有较低的导通电阻,可以显著提高电源效率,减少能量损耗。此外,它的高开关速度有助于提高转换器的响应时间和整体性能。

    2. 电机控制:在电机控制应用中,TK50A04K3凭借其出色的电流处理能力和低导通电阻,成为驱动电机的理想选择。这些特性使其能够有效地控制电机转速和转矩,广泛应用于电动汽车、工业自动化设备以及家用电器中的电机驱动。

    3. 太阳能逆变器:由于其高效能和稳定性,TK50A04K3也常用于太阳能逆变器中。它能够承受高电压和大电流的冲击,保证系统在各种环境条件下的可靠运行,从而提高太阳能系统的转换效率和整体可靠性。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,TK50A04K3的快速开关速度和低导通电阻是关键优势。这些特性确保了UPS系统在电源中断时能够迅速切换到备用电源,从而提供持续、可靠的电力供应。

    5. 汽车电子:TK50A04K3在汽车电子领域也有广泛应用,如用于汽车的电源控制模块和照明系统。其高效能和耐用性使其能够在恶劣的汽车环境中可靠运行,为现代汽车电子系统提供了坚实保障。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):TK50A04K3的典型导通电阻非常低,仅为几毫欧姆。这意味着在同样的电流下,它的能量损耗较少,从而提高了系统的效率和节能性能。

    - 高电流处理能力:TK50A04K3具有出色的电流处理能力,最大连续漏极电流可以达到50安培。这使其能够在高功率应用中稳定工作,而不会出现过热或损坏的情况。

    - 快速开关速度:TK50A04K3的开关速度非常快,能够在纳秒级的时间内完成开关操作。这对于需要高频率开关的应用场景,如DC-DC转换器和逆变器,是非常重要的特性,能够显著提高系统的响应速度和效率。

    - 耐高压能力:TK50A04K3的漏源击穿电压高达40伏特,使其能够在较高电压环境下稳定工作。这对于需要高耐压能力的应用场景,如电源管理和电机控制,提供了可靠的保障。

    - 热管理性能:TK50A04K3设计有出色的热管理性能,能够有效散热,保证在高功率和长时间运行时,器件温度不会过高。这不仅提高了其可靠性,也延长了其使用寿命。

    综上所述,TK50A04K3凭借其卓越的电气性能和可靠的结构设计,成为众多电子应用中不可或缺的关键元件。无论是在电源管理、电机控制,还是在太阳能逆变器和汽车电子中,TK50A04K3都展示了其独特的优势和广泛的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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