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场效应MOS管TK4A60D参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK4A60D是一种广泛应用于电子设备中的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其主要特点是高效能和可靠性。以下将详细介绍TK4A60D的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK4A60D广泛应用于各种电源管理系统中,包括AC/DC转换器和DC/DC转换器。这种MOSFET可以高效地进行电能转换,减少能量损耗,提高整体系统的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电动工具、工业自动化设备等领域,TK4A60D被用作电机驱动的关键组件。它能承受高电流和高电压,确保电机运行的平稳性和可靠性。

    3. 太阳能逆变器:随着太阳能的普及,TK4A60D在太阳能逆变器中的应用也越来越广泛。其高效的开关性能和低导通电阻,使其能够在逆变器中高效地转换直流电为交流电,提升系统的整体效率。

    4. UPS(不间断电源)系统:TK4A60D在UPS系统中发挥着重要作用,确保在电源中断时仍能提供稳定的电力输出。其高效能和耐用性,保证了UPS系统的可靠性和持久性。

    5. 电动汽车:随着电动汽车的发展,TK4A60D被广泛用于电动汽车的电池管理系统和电机控制系统中。其高效能和稳定性,帮助提升电动汽车的续航里程和性能。

    二、参数特点:

    - 高电压耐受能力:TK4A60D的击穿电压高达600V,使其能够在高电压环境中稳定工作,适用于各种高电压应用场景。

    - 低导通电阻:TK4A60D的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,它能够有效减少能量损耗,提高电路的效率和性能。

    - 高开关速度:TK4A60D具备极高的开关速度,能够快速响应控制信号,适用于需要高频率开关的应用,如开关电源和电机驱动。

    - 耐高温性能:TK4A60D具有良好的耐高温性能,能够在高温环境下稳定工作,这对于需要长时间运行的工业设备和电动汽车来说尤为重要。

    - 大电流承载能力:TK4A60D能够承载高达20A的连续电流,这使得它在需要高电流的应用中表现出色,如电机驱动和电源转换器。

    综上所述,TK4A60D凭借其高电压耐受能力、低导通电阻、高开关速度、耐高温性能和大电流承载能力,广泛应用于电源管理系统、电机驱动、太阳能逆变器、UPS系统以及电动汽车等多个领域。其出色的性能和可靠性,使得TK4A60D成为许多高效能电子设备中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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