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场效应MOS管TK3A60DA参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK3A60DA是一款高性能的N沟道功率MOSFET,由东芝(Toshiba)制造,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:TK3A60DA常用于开关电源电路中,作为开关元件。其低导通电阻和高效能特性使其能够在高频率下高效地转换电能,减少能量损耗,提高电源效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,TK3A60DA被用作开关器件。其高耐压和高电流处理能力使其适合用于直流电机和无刷电机的驱动电路,确保电机的稳定运行和精确控制。

    3. 不间断电源(UPS)系统:在UPS系统中,TK3A60DA被用于逆变器电路和整流电路中。其高效率和高可靠性使得UPS系统在电源转换和稳定性方面表现出色,能够在电源故障时提供稳定的电力供应。

    4. 照明控制:TK3A60DA在LED照明控制电路中也有广泛应用。其高效率和低导通损耗特性有助于提升照明系统的整体效率,延长LED的使用寿命,同时减少能耗。

    5. 电动工具:电动工具中经常需要高效的电源转换和电机控制,TK3A60DA以其优异的性能满足了这一需求。它能够提供高效的功率转换,提升工具的性能和工作效率。

    二、参数特点:

    - 耐压值(Vds):TK3A60DA的漏源极耐压(Vds)为600V。这意味着它能够承受高达600伏的电压,而不发生击穿或损坏,适用于高压应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on)):在典型条件下,TK3A60DA的导通电阻为3.0Ω。低导通电阻意味着在开通状态下,电流通过MOSFET时的电阻较小,从而减少了能量损耗,提高了电路的效率。

    - 额定电流(Id):TK3A60DA的连续漏极电流(Id)为7A。这表明它能够持续处理7安培的电流而不出现过热或性能下降,适合于需要大电流的应用场景。

    - 开关速度:TK3A60DA具有快速开关特性,能够在极短的时间内完成开关操作。这对于需要高频率开关操作的电路(如开关电源和电机控制)尤其重要,能够显著提升系统的整体性能。

    - 封装形式:TK3A60DA采用TO-220封装。这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和散热,适用于多种电子设备和工业应用。

    综上所述,TK3A60DA以其高耐压、低导通电阻、大电流处理能力和快速开关特性,在电源管理、电机控制、不间断电源、照明控制以及电动工具等领域展现出广泛的应用前景和出色的性能表现。这些特点使得它成为众多高效电力电子设备中的关键组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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