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场效应MOS管TK20A60W参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.155ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.7~43.7VVGS(th)ld(μA)开启电流:1000μA

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    TK20A60W是一款高压场效应晶体管(MOSFET),主要应用于多个领域,以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,TK20A60W常用作功率开关器件。它的高压特性和低导通电阻使其在高效率电源设计中表现出色,尤其适用于需要快速开关和高能效的场合。

    2. 逆变器和转换器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中,TK20A60W用于高频变换和电能传输。其高耐压能力确保了设备在高电压条件下的稳定运行,提高了系统的可靠性和效率。

    3. 电机驱动:TK20A60W在电动车和工业自动化中的电机驱动电路中扮演重要角色。它的快速开关特性和高效能使其能够有效控制电机的速度和方向,提高了整体系统的响应速度和性能。

    4. 照明控制:在LED照明系统中,TK20A60W用于调光和恒流驱动。其高效能和低损耗特点,能够显著减少系统的功耗,提高照明设备的寿命和可靠性。

    5. 音频放大器:TK20A60W还可用于高保真音频放大器中,作为输出级的功率放大器。其线性度和低失真特性,使得音频信号放大更加清晰和自然。

    二、参数特点:

    - 高耐压:TK20A60W的漏源电压(V_DS)高达600V,能够承受高压环境下的工作需求,适用于各种高压应用场景。

    - 低导通电阻:在最大额定电流下,TK20A60W的导通电阻(R_DS(on))极低,通常在0.2欧姆以下。这种低导通电阻特性减少了开关损耗,提高了整体系统的效率。

    - 高脉冲电流能力:TK20A60W具备高达80A的脉冲电流承受能力,能够应对短时的高负载需求,确保在苛刻条件下依然稳定运行。

    - 快速开关速度:TK20A60W具有极快的开关速度,其典型的开关时间在几十纳秒量级。这使其在高频应用中表现优异,能够大幅提升系统的开关频率和响应速度。

    - 热性能优越:TK20A60W采用先进的半导体制造工艺,具备优异的热性能。其结温最高可达150摄氏度,并且具有较低的热阻,这有助于在高功率应用中有效散热,确保器件的长时间稳定工作。

    通过上述参数和应用场景的详细介绍,可以看出TK20A60W在多种高压、高频、高效能的电子系统中扮演着重要角色,成为设计工程师们可靠的选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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