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场效应MOS管TK18A30D参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.139ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~3.7VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK18A30D是一款高效能的MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于多个领域,本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,TK18A30D由于其低导通电阻和快速开关速度,被用于提高能效和减少功耗。它能够处理高电流和高电压,适合在严苛的工作环境中运行。

    2. 电动汽车:随着电动汽车市场的快速增长,对高效能功率器件的需求也在增加。TK18A30D在电动汽车的电机驱动器和电池管理系统中扮演重要角色,提供高效的能量转换和管理。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,TK18A30D被广泛用于电机控制、电源调节和负载开关。其高可靠性和耐用性使其适合长时间、高强度的工业应用。

    4. 消费电子:在消费电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中,TK18A30D用于电源管理模块,帮助延长电池寿命和提高设备性能。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,TK18A30D用于逆变器部分,帮助将直流电转换为交流电,并提高整个系统的能效。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):TK18A30D的导通电阻非常低,通常在几十毫欧级别,这意味着在导通状态下,它能够有效减少能量损耗,提升整体电路效率。

    - 高击穿电压:TK18A30D的击穿电压高达300V,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于电动汽车、电源管理系统等高压应用。

    - 大电流能力:TK18A30D能够处理高达18A的连续电流,适合需要大电流传输的应用,如电机驱动和电源模块。

    - 快速开关速度:TK18A30D具有极快的开关速度,这对于开关电源和DC-DC转换器非常重要,能够显著提高电路的工作频率和效率。

    - 热性能优异:TK18A30D设计有良好的热管理特性,在高功率密度应用中能够有效散热,保证器件在高温环境下稳定运行。

    通过这些参数特点,TK18A30D能够在多种复杂和严苛的应用环境中提供高效、稳定的性能,成为众多设计工程师的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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