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场效应MOS管TK17A65W参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:17.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.26ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK17A65W是一款高压MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):TK17A65W在开关电源中用作主开关器件,能够有效地提高电源的效率和可靠性。其高压特性使其适用于AC-DC转换中的PFC(功率因数校正)和DC-DC转换。

    2. 逆变器:在逆变器应用中,TK17A65W用于直流电压转换为交流电压,常见于太阳能发电系统、UPS(不间断电源)和电动汽车充电系统。

    3. 电动工具:由于TK17A65W具有良好的开关性能和高耐压能力,因此在电动工具的电机驱动电路中得到广泛应用,可以提高设备的可靠性和寿命。

    4. LED驱动电源:TK17A65W在LED驱动电源中应用,能够提供稳定的电流,确保LED照明的亮度和寿命。

    5. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,TK17A65W被用于电机控制、功率调节等方面,帮助实现精确控制和高效能运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:TK17A65W的击穿电压高达650V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压电路。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻(RDS(on))低,典型值在0.34Ω左右,能够减少导通损耗,提高电路效率。

    - 高开关速度:TK17A65W具有快速的开关性能,开关速度快,有效减少开关损耗,提高电路的工作效率。

    - 高电流处理能力:TK17A65W能够处理较大的电流,其最大连续漏极电流(ID)为17A,适用于需要高电流的应用场景。

    - 热性能优越:TK17A65W的热阻低,具有良好的散热性能,有助于在高功率应用中保持低温运行,延长器件寿命。

    - 栅极电荷低:TK17A65W的总栅极电荷(Qg)较低,约为57nC,这使得驱动功耗降低,驱动电路设计更加简单。

    综上所述,TK17A65W是一款高性能的MOSFET,其高击穿电压、低导通电阻、高开关速度、高电流处理能力以及优越的热性能和低栅极电荷,使其成为高效率、高可靠性的电力电子器件的理想选择,广泛应用于各种需要高压、高速开关的电路中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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