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场效应MOS管TK17A65U参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.26ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:1000μA

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    TK17A65U是一款高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):TK17A65U在开关电源中,常用于高频变换器和整流器,通过其高开关速度和低导通电阻,提高电源效率并减少热损耗。

    2. 逆变器:在光伏系统、风力发电系统以及其他可再生能源系统中,TK17A65U作为逆变器的关键元件,负责将直流电转换为交流电,确保系统的高效运行。

    3. 电机驱动:在电动汽车和工业电机驱动器中,TK17A65U用作驱动电路中的功率开关器件,提供高效、可靠的电机控制。

    4. UPS(不间断电源)系统:在UPS系统中,TK17A65U用于逆变部分,确保在电源故障时能够迅速切换到备用电源,提供稳定的电力输出。

    5. 消费电子产品:例如LED电视、音响系统等,TK17A65U用于功率管理和转换电路,提高设备的能源利用效率,延长使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):TK17A65U的导通电阻极低,典型值为0.22Ω,这使其在高电流条件下具有较低的功耗,提高整体电路的效率。

    - 高击穿电压:其漏源击穿电压(VDSS)为650V,能够承受较高的电压应力,适用于高压应用场景。

    - 高脉冲电流能力:TK17A65U能够处理高达68A的脉冲电流,使其在瞬态高电流条件下也能稳定工作,保护电路免受电流冲击损坏。

    - 快速开关速度:由于其小型化的栅极电容和栅极电荷,TK17A65U具有快速的开关速度,能够在高频应用中实现高效的开关操作,减少开关损耗。

    - 可靠性和热稳定性:TK17A65U采用先进的制造工艺,具有优良的热稳定性和可靠性,能够在高温和恶劣环境下长期稳定工作。

    综上所述,TK17A65U凭借其低导通电阻、高击穿电压、高脉冲电流能力、快速开关速度以及卓越的可靠性,成为开关电源、逆变器、电机驱动、UPS系统以及各种消费电子产品中的理想选择。TK17A65U的应用场景和参数特点使其在实际应用中表现出色,为电子设备提供了高效、稳定的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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