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场效应MOS管TK16A60W5参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:15.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.23ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:790μA

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    TK16A60W5是一款高压N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理系统、电机驱动、照明系统、逆变器和UPS系统以及太阳能和风能系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK16A60W5在开关电源、DC-DC转换器以及AC-DC适配器中扮演着重要角色。它的高压特性和低导通电阻使其在这些应用中表现出色,能够有效提升电源转换效率并减少功率损耗。

    2. 电机驱动:在工业和消费电子设备中,电机驱动是一个常见的应用场景。TK16A60W5凭借其快速的开关速度和高电流处理能力,适用于各种类型的电机驱动电路,包括无刷直流电机和步进电机控制系统。

    3. 照明系统:在LED照明驱动电路中,TK16A60W5由于其高效率和可靠性,被广泛采用。它能够稳定地驱动高亮度LED,确保照明系统的长时间稳定运行。

    4. 逆变器和UPS系统:TK16A60W5在逆变器和不间断电源(UPS)中也有应用,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其优异的电气性能可以保证系统在各种负载条件下的稳定工作。

    5. 太阳能和风能系统:在新能源领域,TK16A60W5同样发挥着重要作用。其高电压耐受能力和高效能,使其成为太阳能光伏逆变器和风能发电系统中的理想选择,能够提高能量转换效率和系统的整体性能。

    二、参数特点:

    1. 高耐压:TK16A60W5具有高达600V的漏源极电压(Vds),能够在高压环境下安全工作。这使其在需要处理高电压的应用中非常适合。

    2. 低导通电阻:TK16A60W5的导通电阻(Rds(on))非常低,这意味着在开关状态下,电能损耗较低,提升了整体系统的效率。具体的Rds(on)值在几毫欧姆级别,具体取决于工作条件和应用电路设计。

    3. 高开关速度:TK16A60W5具有快速的开关特性,能够在短时间内完成开关操作,减少了开关损耗,并提升了系统的响应速度。这对于高频应用如开关电源和DC-DC转换器尤其重要。

    4. 高电流处理能力:TK16A60W5的额定漏极电流(Id)能够达到16A,在高功率应用中表现出色。其高电流处理能力确保了其在电机驱动和电源管理系统中的可靠性和稳定性。

    5. 耐高温:TK16A60W5具有良好的热性能,其结温范围较宽,通常可以在-55°C至+150°C的范围内稳定工作。这使得其在各种苛刻的工作环境下,依然能够保持优异的电气性能和可靠性。

    综上所述,TK16A60W5以其高耐压、低导通电阻、高开关速度、高电流处理能力和耐高温等特点,在众多应用场景中得到了广泛应用。其卓越的性能和可靠性,使其成为电源管理、电机驱动、照明系统、逆变器和新能源系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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