收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管TK16A55D参数

场效应MOS管TK16A55D参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:550VRDS(ON)Ω内阻:0.33ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:1000μA

立即咨询


    TK16A55D是一种高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,TK16A55D用于高频开关电路,能够提供高效的电能转换,同时降低热量生成,提升电源的整体效率。

    2. 电动工具:由于TK16A55D具备高电流和高电压承载能力,它常被用于电动工具的电源控制部分,确保工具在高负载条件下仍能稳定运行。

    3. 电机驱动:在电机驱动电路中,TK16A55D能够有效地控制电流流动,减少电机启动和运行过程中的能量损失,提高系统的能效。

    4. 逆变器和UPS系统:TK16A55D在逆变器和不间断电源(UPS)系统中也有广泛应用,凭借其快速的开关速度和低导通电阻,确保系统能够稳定地进行交流电与直流电的转换。

    5. 光伏和风能系统:在可再生能源系统中,TK16A55D通过高效的电能管理,提高太阳能电池板和风力发电机的能源转换效率,优化系统性能。

    二、参数特点:

    - 高电压承载能力:TK16A55D的最大漏源电压(Vds)可达550V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于高压电源和电力系统。

    - 低导通电阻:该器件的典型导通电阻(Rds(on))仅为0.34欧姆,导通电阻越低,电流通过时的功率损耗越小,这有助于提高系统的整体效率。

    - 高电流承载能力:TK16A55D的最大连续漏极电流(Id)为16A,使其能够处理较大的电流负载,适用于需要高电流驱动的应用场景。

    - 快速开关速度:得益于其优化的内部结构,TK16A55D具有快速的开关速度,开关时间通常在几十纳秒级别,这对于高频应用尤为重要。

    - 热性能良好:TK16A55D具备良好的热性能,其结温范围宽泛,最高可达150摄氏度,确保在高温环境下仍能可靠运行,适应严苛的工作条件。

    通过以上详尽的介绍,可以看出TK16A55D作为一款高性能的功率MOSFET,在各类应用场景中都能够发挥其卓越的性能,满足不同系统的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号