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场效应MOS管TK15A50D参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK15A50D是一款广泛应用于各种电力电子设备中的N沟道功率MOSFET,其高效能和稳定性能使其在多个领域中具有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:TK15A50D常用于开关电源的主开关管,其低导通电阻和高击穿电压特性能够有效提高电源的转换效率和稳定性。

    2. 电动机驱动:在电动机驱动电路中,TK15A50D能够提供高效的电流传输和控制,适用于各种工业和家用电动机驱动器,特别是在需要高频率切换和高可靠性要求的场景中表现出色。

    3. 逆变器:TK15A50D在光伏逆变器和风能逆变器中也有广泛应用,其高耐压和快速开关能力使其能够在高压环境下稳定运行,提供高效的电能转换。

    4. UPS不间断电源:在UPS系统中,TK15A50D作为关键组件之一,确保电源在电力中断时能够快速切换,维持稳定的电力输出。

    5. 汽车电子:TK15A50D被广泛应用于汽车电子系统中,例如电动助力转向(EPS)、电动座椅控制和电动窗控制等,由于其高耐久性和稳定性,能够满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严格要求。

    二、参数特点:

    - 击穿电压:TK15A50D的击穿电压为500V,这意味着它能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高电压耐受能力的应用场景。

    - 导通电阻(RDS(on):TK15A50D的导通电阻非常低,仅为0.43Ω(最大值),这有助于减少导通损耗,提高整个电路的效率,特别是在高电流应用中能够显著降低功耗。

    - 最大漏极电流:TK15A50D的最大漏极电流为15A,能够处理较大的电流负载,适用于大功率的电力电子设备。

    - 栅极电荷:TK15A50D的总栅极电荷较低,为58nC(典型值),这意味着它在开关过程中能够实现快速的栅极驱动,适合高频率的开关应用。

    - 封装类型:TK15A50D采用TO-220封装,这种封装形式有助于散热,并且便于安装在各种电路板上,适合各种不同的应用环境。

    TK15A50D凭借其高击穿电压、低导通电阻、大电流处理能力、低栅极电荷和优良的封装形式,成为电力电子设备中不可或缺的关键组件。其广泛的应用场景和优异的参数特点使其在市场上备受欢迎,成为许多设计工程师的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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