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场效应MOS管TK14A55D参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:550VRDS(ON)Ω内阻:0.37ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK14A55D是一种高性能的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK14A55D在电源管理系统中扮演着关键角色,尤其是在开关电源和DC-DC转换器中。它能够高效地控制电流流动,从而优化电源转换效率,减少能量损耗,提升设备的整体性能。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和动力控制模块中,TK14A55D发挥着重要作用。其高效的电流处理能力和低导通电阻使其能够处理大电流需求,确保电动汽车的稳定运行。

    3. 工业自动化设备:TK14A55D在工业自动化设备中也有广泛应用,如电机驱动器和变频器。其高频开关特性使得这些设备能够高效运行,同时提供稳定的性能和长寿命。

    4. 家用电器:在家用电器如空调、冰箱和洗衣机中,TK14A55D用于控制电动机和其他关键组件。其高效能和可靠性确保了这些设备的高效运行和节能效果。

    5. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,TK14A55D用于电源管理模块和充电系统。其高开关速度和低损耗特性帮助这些设备实现快速充电和长续航。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK14A55D的导通电阻(RDS(on))非常低,这意味着在电流通过时,电压降和功率损耗都较小。这一特点使其非常适用于高效能的电源管理和高电流应用。

    - 高击穿电压:TK14A55D的击穿电压高达55V,这使其能够在较高电压环境下稳定工作,提供可靠的性能。这对于需要高耐压能力的电路设计尤为重要。

    - 快速开关速度:TK14A55D具备极快的开关速度,能够在高频率操作中保持高效能。这一特性使其在需要快速响应的电路中,如开关电源和高频转换器中,表现尤为出色。

    - 高额定电流:TK14A55D可以处理高达14A的额定电流,适用于需要处理大电流的应用场景,如电动汽车和工业设备。这一高额定电流能力确保了其在高功率应用中的可靠性和稳定性。

    - 优良的热性能:TK14A55D的热阻低,散热性能好,这有助于在高功率工作时保持较低的结温,延长器件的使用寿命。这一特点在高功率和高密度的电子设备中尤为重要。

    综上所述,TK14A55D凭借其卓越的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电子设备和电路设计中的首选器件。其高效能、低损耗和可靠性使其在各种高要求的应用中表现优异。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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