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场效应MOS管TK13A50D参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK13A50D是一种在现代电子设备中广泛应用的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它以其卓越的性能和可靠性,满足了各种高需求应用的要求。本文将详细介绍TK13A50D的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK13A50D广泛应用于电源管理系统中,特别是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其高效的电流控制能力和低导通电阻使其在这些系统中表现出色,能够有效地减少功耗并提高系统的整体效率。

    2. 电动工具:在电动工具的驱动电路中,TK13A50D凭借其高功率处理能力和耐高压特性,能够稳定地驱动电动机,提供可靠的动力输出。这在各种便携式和工业电动工具中尤为重要,确保了工具的高效运行和长寿命。

    3. 汽车电子:现代汽车的电子系统中充满了各种复杂的电路,需要高性能的功率器件来保证稳定性和可靠性。TK13A50D在汽车电子中常用于电机控制、电源分配和其他高功率应用,能够承受汽车环境中的高温和高压条件,确保车辆的安全和性能。

    4. 消费电子:在智能手机、平板电脑和其他消费电子设备中,TK13A50D因其紧凑的封装和优异的电性能,成为电源管理和电池保护电路的理想选择。它可以有效地控制电流,延长电池寿命,并确保设备的可靠运行。

    5. 工业控制系统:TK13A50D还被广泛应用于各种工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)和工厂自动化设备。其高耐压和高电流处理能力使其能够在苛刻的工业环境中稳定工作,保证系统的可靠性和稳定性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK13A50D具有极低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着它在导通状态下的电阻非常小,从而减少了能量损耗,提高了整体效率。在高电流应用中,低导通电阻尤为重要,可以显著降低器件的发热量和能耗。

    - 高击穿电压:TK13A50D的击穿电压(V_DS)高达500V,这使其能够在高压应用中安全运行。这一特点特别适合电源管理和工业控制系统中的高压环境,保证了电路的稳定性和安全性。

    - 大电流处理能力:TK13A50D的最大连续漏极电流(I_D)可达到13A,使其能够处理较大的电流负载。这一特性在电动工具和汽车电子等需要高电流的应用中尤为重要,能够提供强劲的动力输出和可靠的电流控制。

    - 快速开关速度:TK13A50D具有快速的开关速度,能够在极短的时间内完成开关操作。这一特性对于高频开关电源和脉冲宽度调制(PWM)电路非常重要,可以提高系统的响应速度和效率。

    - 可靠的封装形式:TK13A50D通常采用TO-220封装,这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,而且易于安装和维护。TO-220封装能够有效地散热,防止器件过热,从而提高其可靠性和使用寿命。

    综上所述,TK13A50D凭借其在各种应用场景中的卓越表现和优异的参数特点,成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。无论是在电源管理、电动工具、汽车电子、消费电子还是工业控制系统中,TK13A50D都展示了其强大的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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