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场效应MOS管TK12A80W参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:570μA

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    TK12A80W是一种广泛应用于各种电力电子设备中的功率MOSFET器件。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:TK12A80W在开关电源中常被用作高效的开关元件。它具有快速的开关速度和低导通电阻,能够提高电源的转换效率,降低功耗,从而满足现代电子设备对高效率、低能耗的要求。

    2. 电动汽车:随着电动汽车技术的发展,功率MOSFET在电动汽车中的应用越来越广泛。TK12A80W由于其高电流和高电压承载能力,非常适合用于电动汽车的电机驱动和电池管理系统中,确保系统的高效和可靠运行。

    3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效的功率转换器件以将直流电转换为交流电。TK12A80W具备优异的开关特性和热性能,使其成为光伏逆变器中的理想选择,能够显著提升系统的整体效率。

    4. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,TK12A80W被广泛用于各种电机驱动和控制电路中。其高耐压和高可靠性特点,可以满足工业环境中对设备稳定性和耐用性的严格要求。

    5. 不间断电源(UPS):不间断电源系统需要可靠的功率器件来确保在电力中断时提供稳定的电力供应。TK12A80W的高效能和高可靠性使其在UPS系统中扮演重要角色,确保设备在关键时刻的正常运行。

    二、参数特点:

    - 高耐压特性:TK12A80W具备800V的耐压能力,适合用于高压应用场景,如开关电源、光伏逆变器等。这种高耐压特性确保了在高电压环境下的安全和可靠运行。

    - 低导通电阻:TK12A80W的导通电阻仅为0.45Ω(最大值),这意味着它在导通状态下损耗较小,能够有效降低系统的功耗,提高整体效率。

    - 快速开关速度:TK12A80W具有极快的开关速度,其开关时间可以达到几十纳秒级别。这种快速开关特性使其在高频应用中表现出色,能够减少开关损耗,提升系统效率。

    - 高脉冲电流能力:TK12A80W能够承受高达60A的脉冲电流,这使得它在需要处理高电流冲击的应用中,如电动汽车和工业设备中,表现尤为突出。

    - 优异的热性能:TK12A80W采用先进的封装技术,具有优良的散热性能。其热阻低至0.83°C/W,能够有效管理工作过程中产生的热量,保证器件的稳定性和寿命。

    通过以上对TK12A80W的应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出其在各种高要求的电力电子应用中都能发挥重要作用。其高耐压、低导通电阻、快速开关、高脉冲电流能力以及优异的热性能,使得TK12A80W成为一款性能卓越的功率MOSFET器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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