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场效应MOS管TK12A65D参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.54ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK12A65D是一款高效能的功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍TK12A65D的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源、逆变器和DC-DC转换器中,TK12A65D以其低导通电阻和高开关速度,确保了系统的高效能和稳定性。

    2. 电动工具:由于其出色的电流处理能力和耐高压特性,TK12A65D被广泛应用于各类电动工具的驱动电路中,提升了设备的可靠性和使用寿命。

    3. 汽车电子:在汽车电控系统中,TK12A65D用于电动机控制、电池管理和车载充电器等领域,保证了系统的高效率和低能耗。

    4. 工业控制:在工业自动化和控制设备中,TK12A65D用于各种电机驱动和控制电路,满足了高可靠性和高效率的要求。

    5. 消费电子:在电视机、电冰箱、空调等家用电器中,TK12A65D的低功耗特性有效提升了设备的能效比,降低了运行成本。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK12A65D的导通电阻仅为0.12Ω,这意味着在导通状态下,电流通过晶体管时的损耗非常低,有效提高了系统的效率。

    - 高击穿电压:TK12A65D的击穿电压高达650V,使其能够在高电压环境下稳定运行,适用于要求严格的电力应用场景。

    - 高脉冲电流处理能力:TK12A65D能够处理高达48A的脉冲电流,这使得它在需要处理大电流的应用中表现尤为突出,如电动工具和汽车电子。

    - 快速开关速度:TK12A65D具备极快的开关速度,其开关时间仅为数十纳秒级别,能够在高频率开关电路中实现高效能的工作。

    - 低栅极电荷:TK12A65D的栅极电荷仅为50nC,这使得它在开关过程中所需的驱动能量较低,进一步减少了系统的功耗。

    综上所述,TK12A65D以其出色的电气特性和广泛的应用场景,在现代电子设备中发挥着重要作用。其低导通电阻、高击穿电压、高脉冲电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等特点,使得TK12A65D成为高效能电子元件的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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