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场效应MOS管TK12A60D参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK12A60D是一种广泛应用于电子设备和电力系统中的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。由于其出色的性能和高效能,TK12A60D在以下几个领域具有重要的应用:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:TK12A60D在开关电源中作为开关元件使用,其高效的开关特性和低导通电阻,使其在提高电源效率和减少能量损耗方面表现优异。

    2. 电动工具:在电动工具中,TK12A60D由于其耐高压和高电流能力,能够有效驱动电动机,并且具有较长的使用寿命。

    3. 电动汽车:TK12A60D在电动汽车的电池管理系统中被广泛采用,因其能够在高电压环境下稳定工作,并提供可靠的过流保护。

    4. 逆变器:在光伏逆变器和风能逆变器中,TK12A60D被用于转换直流电为交流电,因其高效率和稳定性,能够显著提高能源转换效率。

    5. 工业控制系统:TK12A60D在各种工业控制系统中作为功率控制元件,其高可靠性和耐用性,确保了系统的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):TK12A60D的最大漏源电压为600V,这使得它能够在高电压环境下可靠运行,适用于各种需要高压处理的场合。

    - 漏极电流(Id):TK12A60D的最大漏极电流为12A,这使得它能够处理较高的电流负载,非常适合用于大功率设备和系统中。

    - 导通电阻(Rds(on)):在典型条件下,TK12A60D的导通电阻非常低,仅为0.36Ω,这有助于减少导通损耗,提高整体效率。

    - 栅极电荷(Qg):TK12A60D的栅极电荷为56nC,这表明其具有快速的开关速度,能够有效减少开关损耗,在高频应用中表现尤为出色。

    - 结温范围(Tj):TK12A60D的结温范围为-55°C至150°C,显示其在各种极端温度条件下仍能稳定工作,具有良好的热稳定性。

    综上所述,TK12A60D由于其高电压、高电流和低导通电阻的特点,使其在开关电源、电动工具、电动汽车、逆变器以及工业控制系统等领域中广泛应用。其优越的参数特性确保了在各种应用场景中的可靠性和高效能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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