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场效应MOS管TK12A55D参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:550VRDS(ON)Ω内阻:0.63ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK12A55D是一款广泛应用于多个领域的功率MOSFET(场效应晶体管),其卓越的性能使其在多个方面表现出色。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:TK12A55D在开关电源中被广泛使用,尤其适用于DC-DC转换器和AC-DC转换器。其低导通电阻和快速开关速度能够有效减少能量损耗,提高电源转换效率。

    2. 电动工具:TK12A55D也常用于电动工具中,尤其是需要高电流、高可靠性的应用场景。它能提供强劲的功率输出,同时保持良好的散热性能,从而确保工具的稳定运行。

    3. 家用电器:在家用电器如洗衣机、冰箱等设备中,TK12A55D用于电机控制和电源管理。其高效能和稳定性保证了家用电器的长寿命和低能耗。

    4. 汽车电子:在汽车电子中,TK12A55D用于电池管理系统、LED照明以及各种控制模块中。其高耐压、高电流特性满足了汽车电子对安全性和可靠性的高要求。

    5. 工业自动化:在工业自动化领域,TK12A55D被应用于变频器、伺服驱动器和各种工业控制系统。其高效开关能力和耐用性,能够提高工业设备的工作效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on))低:TK12A55D具有极低的导通电阻,典型值为0.085Ω(在10V Vgs时),这使得它在高电流应用中能有效减少功率损耗,提高效率。

    - 耐压高:TK12A55D的漏源电压(Vds)额定值高达55V,能够在较高电压环境下稳定工作,适合于多种高压应用场景。

    - 高电流承受能力:TK12A55D的漏极电流(Id)额定值为12A,能够承受较大的电流,适用于需要大功率输出的应用。

    - 开关速度快:TK12A55D具有快速开关特性,其典型的开关时间在数十纳秒级别,能够满足高频率开关电路的需求,减少切换损耗。

    - 良好的热性能:TK12A55D的结电容较低,热阻小,散热性能优越,能够在高温环境下保持稳定工作。其结到壳体热阻典型值为1.67°C/W,有效提高了其工作稳定性和寿命。

    综上所述,TK12A55D凭借其低导通电阻、高耐压、高电流承受能力、快速开关速度和良好的热性能,在开关电源、电动工具、家用电器、汽车电子和工业自动化等多个领域中得到了广泛应用。其卓越的性能参数使其成为各种高效能、高可靠性电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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