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场效应MOS管TK11A50D参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK11A50D是一款具有广泛应用场景的功率MOSFET,其主要应用领域包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK11A50D在开关电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统中起到了关键作用。它通过其低导通电阻和快速开关特性,实现了高效的能量转换和分配,从而提高了电源系统的整体效率。

    2. 电机驱动:在工业自动化和消费电子中,电机驱动是一个重要的应用领域。TK11A50D由于其高电流承载能力和耐高压特性,能够稳定可靠地驱动各类电机,如直流电机和步进电机,适用于电动工具、电动车和机器人等设备。

    3. 不间断电源(UPS):TK11A50D在不间断电源系统中,用于电池管理和逆变器控制。其高效的开关特性和低导通电阻有助于提高UPS系统的可靠性和转换效率,确保在断电时为关键设备提供稳定的电力供应。

    4. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,光伏逆变器的性能直接影响整个系统的效率和可靠性。TK11A50D以其优异的电气特性,广泛应用于光伏逆变器中,帮助实现高效的直流到交流电转换,最大化太阳能利用率。

    5. 消费电子:TK11A50D也广泛应用于各类消费电子产品中,如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等。这些设备对电源管理和散热性能有着高要求,TK11A50D通过其低功耗和高效能特性,满足了这些电子设备对电源管理的严格要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):TK11A50D的导通电阻非常低,通常在几毫欧范围内。这使得它在工作时的能量损耗非常小,有助于提高整个系统的效率,特别是在高频率开关应用中更为明显。

    - 高耐压性:TK11A50D具有较高的击穿电压,通常为500V或更高。这使得它能够在高电压环境下稳定运行,适用于需要高电压转换的场景,如工业控制和电力电子设备。

    - 高电流承载能力:TK11A50D能够承载较高的电流,通常在10A以上。这使得它在高功率应用中能够提供稳定的电流输出,确保设备的正常运行和性能。

    - 快速开关速度:TK11A50D具备极快的开关速度,这对于要求快速响应和高频率操作的应用非常重要。快速的开关速度不仅提高了效率,还减少了开关损耗和发热量。

    - 优良的热管理特性:TK11A50D设计有良好的热管理特性,能够在高功率密度的应用中有效散热,保持稳定的工作温度。这对于长时间运行的设备尤为重要,确保了设备的可靠性和寿命。

    综上所述,TK11A50D以其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为了现代电子系统中不可或缺的重要元件。其低导通电阻、高耐压性、高电流承载能力、快速开关速度和优良的热管理特性,使其在各种应用中都能表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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