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场效应MOS管TK10A80E参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK10A80E是一款高效的N沟道MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK10A80E常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。这些设备需要高效的开关特性和低导通电阻,以减少能量损耗和提升整体效率。

    2. 电动汽车充电器:在电动汽车的充电系统中,TK10A80E的高耐压特性和高效导通性能能够提高充电效率,确保安全稳定的电能传输。

    3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要将直流电转换为交流电,TK10A80E的高频开关能力使其成为理想的选择,可以有效提高逆变器的转换效率。

    4. 电机驱动:在电机控制和驱动系统中,TK10A80E的快速开关特性和低导通电阻能够提高系统的响应速度和效率,减少能量损耗。

    5. 工业控制系统:工业自动化设备需要可靠的电源和驱动控制,TK10A80E的高可靠性和稳定性使其在工业控制系统中得到广泛应用。

    二、参数特点:

    - 高耐压特性:TK10A80E的耐压值高达800V,使其能够在高压应用中稳定工作,避免因过压而导致的损坏。

    - 低导通电阻:TK10A80E的导通电阻典型值仅为0.48Ω,这一低导通电阻能够有效减少电能损耗,提高系统效率。

    - 高开关速度:TK10A80E具备极快的开关速度,最大限度地减少开关损耗,适合高频开关应用。

    - 高脉冲电流能力:TK10A80E能承受高达40A的脉冲电流,确保在瞬态电流冲击下的可靠性。

    - 低栅极电荷:TK10A80E的低栅极电荷(典型值为58nC)使其能够在低驱动电压下快速开关,有助于减少驱动电路的复杂性和能量损耗。

    综上所述,TK10A80E在多个应用场景中发挥着重要作用,并且其卓越的参数特点使其成为高效、可靠的电子元件选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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