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场效应MOS管TK10A60D参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK10A60D是一种高压功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,TK10A60D经常用于高效能转换电路中,如AC-DC和DC-DC转换器。其高电压和高效能特性使其成为电源管理中的理想选择。

    2. 电动工具:由于电动工具需要高功率和高效率的电力转换,TK10A60D常用于这些设备中,帮助提高整体性能并降低能量损耗。

    3. 照明设备:在LED驱动电路和HID灯驱动中,TK10A60D可提供稳定且高效的电流控制,确保照明设备的长期可靠性和高效能。

    4. 工业控制:工业自动化和控制系统通常需要高可靠性的功率半导体元件,TK10A60D因其优异的电性能和可靠性被广泛应用于此类系统中。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,TK10A60D用于电池管理,帮助实现高效的充放电控制,延长电池寿命并提升系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 高耐压:TK10A60D的漏源极电压(V_DS)高达600V,使其适用于高压环境中的各种应用。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(R_DS(on))为0.75Ω,这一低阻抗特性可以显著降低开关损耗,提高系统的整体效率。

    - 大电流承载能力:TK10A60D能够处理高达10A的连续漏极电流(I_D),使其适合高功率应用。

    - 快速开关速度:该MOSFET具有快速的开关时间,典型的开关速度为几十纳秒级,适合高频应用,有助于减少开关损耗并提高转换效率。

    - 耐热性能:TK10A60D的热阻(R_θJC)低至1.9°C/W,使其在高功率应用中能够有效散热,保证器件的稳定性和可靠性。

    综上所述,TK10A60D凭借其高电压、高效率、低导通电阻和优良的散热性能,广泛应用于各类电力电子设备中,为现代电力转换和控制系统提供了强大的支持。其高效能和可靠性使其成为工程师在设计高功率电路时的优选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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