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场效应MOS管TJ10S04M3L参数

PD最大耗散功率:27WID最大漏源电流:-10AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.062ΩVRDS(ON)ld通态电流:-5AVRDS(ON)栅极电压:-6VVGS(th)V开启电压:-2~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-1000μA

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    TJ10S04M3L是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各类电源管理和电能转换领域。本文将详细介绍TJ10S04M3L的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:TJ10S04M3L在开关电源中扮演重要角色,能够有效地转换电能,提高效率。其高开关速度和低导通电阻使其成为DC-DC转换器和AC-DC电源的理想选择。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,TJ10S04M3L凭借其低导通电阻和高电流处理能力,能够减少能量损耗并提升系统效率。适用于工业自动化和家电中的电机控制。

    3. 电池管理系统:TJ10S04M3L被广泛用于电池管理系统中,特别是在电动汽车和储能系统中。其高效能特性帮助延长电池寿命,并确保电池的安全和可靠运行。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,TJ10S04M3L发挥着关键作用。其高效率和可靠性使其适用于光伏系统中的DC-AC转换,有助于提高太阳能发电系统的整体性能。

    5. 消费电子:TJ10S04M3L也广泛应用于各种消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和电源适配器等。其高效能和紧凑尺寸满足了现代电子产品对高性能和小型化的需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):TJ10S04M3L具有极低的导通电阻,这意味着在导通状态下它能够以最小的电阻提供高效的电流传导,从而减少功率损耗和发热。

    - 高击穿电压(VDS):TJ10S04M3L的高击穿电压使其能够在高电压环境中安全运行,适用于各种高压应用场景。通常,其击穿电压可达到40V或更高,具体参数需参考产品数据表。

    - 高开关速度:TJ10S04M3L具有快速的开关特性,能够在纳秒级别完成开关动作,这对于高频应用如开关电源和DC-DC转换器非常重要,有助于提高转换效率和减少电磁干扰。

    - 热性能:TJ10S04M3L拥有优良的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其低热阻封装设计帮助迅速散热,确保器件在高功率操作下依然可靠。

    - 封装形式:TJ10S04M3L通常采用标准的TO-220或DPAK封装,这些封装形式不仅便于安装和散热,还能保证在各种应用环境中的可靠连接和性能表现。

    综上所述,TJ10S04M3L的应用范围广泛且参数性能优越,使其成为各类电源管理和能量转换应用中的重要元件。通过理解其应用场景和详细参数特点,可以更好地在设计中发挥其优势,提升系统的整体性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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