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场效应MOS管SiHFR9024参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:-8.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:-5.3AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    SiHFR9024是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种需要高效电源管理和切换的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:SiHFR9024在各种电源管理系统中,用于高效的电能转换和调节。它的高开关速度和低导通电阻使其在DC-DC转换器、AC-DC电源和不间断电源(UPS)系统中表现出色。

    2. 汽车电子:SiHFR9024在汽车电子系统中具有广泛的应用,特别是在电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)的电池管理系统中。其高效的热管理和耐用性使其在高温和高应力环境下表现优异。

    3. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,SiHFR9024用于电机驱动、可编程逻辑控制器(PLC)和伺服系统中。其高耐压和高电流处理能力使其能够应对苛刻的工业环境。

    4. 消费电子:SiHFR9024广泛应用于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理和充电系统中。其小尺寸和高效能使其成为便携式设备的理想选择。

    5. 可再生能源系统:在太阳能和风能系统中,SiHFR9024用于逆变器和电池储能系统,帮助实现高效的能量转换和储存。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):SiHFR9024的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆范围内。这意味着在导通状态下,损耗很小,从而提高了整体系统的效率。

    - 高耐压能力:SiHFR9024的耐压能力可达100V以上,这使其能够在高压环境下稳定运行,适用于各种需要高电压处理的应用场景。

    - 高电流处理能力:SiHFR9024能够处理高达几十安培的电流,使其适用于需要大电流传输的应用,如电机驱动和电池管理系统。

    - 快速开关速度:SiHFR9024具有极快的开关速度,通常在纳秒级别。这使得它在高频率应用中能够有效减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热性能优越:SiHFR9024的热阻较低,能够有效散热,确保在高功率、高温环境下稳定运行。其封装设计也有助于优化散热性能。

    通过上述应用场景和参数特点的详细描述,可以看出SiHFR9024在各种高效电源管理和高性能电子设备中具有重要的应用价值。其优越的性能和可靠性使其成为现代电子设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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