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MOS管STGF19NC60WD参数

PD最大耗散功率:32WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:ΩVRDS(ON)ld通态电流:AVRDS(ON)栅极电压:VVGS(th)V开启电压:3.75~5.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STGF19NC60WD是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STGF19NC60WD常用于开关电源(SMPS)和电池管理系统(BMS)中,能够提供高效的电能转换和稳定的电压输出。它在这些系统中起到关键作用,确保设备的正常运行和能效优化。

    2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):在电动汽车和混合动力汽车中,STGF19NC60WD被用作电机控制和能量回收系统的核心元件。其高效能和低损耗特性,使得电动车辆的动力系统更加可靠和高效。

    3. 工业自动化设备:STGF19NC60WD在工业自动化设备中广泛应用,如变频器、伺服驱动器等。它能够在高电压和大电流条件下,提供稳定的功率输出,满足工业设备的高性能需求。

    4. 可再生能源系统:在太阳能和风能等可再生能源系统中,STGF19NC60WD被用于逆变器和电能变换设备,能够有效提高系统的转换效率和稳定性。

    5. 消费电子产品:STGF19NC60WD也应用于高端消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。这些设备对电源转换的效率和稳定性要求极高,STGF19NC60WD能够满足这些要求,提升产品的整体性能。

    二、参数特点:

    1. 高电压承受能力:STGF19NC60WD的最大漏源电压(Vds)可达600V,使其能够在高电压环境中稳定工作,适用于高压电源和工业控制系统。

    2. 低导通电阻:STGF19NC60WD具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值仅为0.19Ω,这大大减少了导通损耗,提高了整体效率,特别适合需要高效能的应用场景。

    3. 高速开关性能:STGF19NC60WD的栅极电荷(Qg)较低,使其具备快速的开关速度。这种特性在高频率开关电源和数字电路中尤为重要,能够显著提高系统的响应速度和效率。

    4. 耐高温能力:STGF19NC60WD能够在高温环境下稳定工作,其最高结温(Tj)可达150°C。这一特点使其在工业和汽车电子等高温环境中,依然能够保持可靠的性能。

    5. 强大的电流承载能力:STGF19NC60WD的最大漏极电流(Id)为19A,能够承载较大的电流负载,适用于需要高电流传输的应用,如电机驱动和大功率转换系统。

    综上所述,STGF19NC60WD是一款性能优异的功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电动汽车、工业自动化、可再生能源和消费电子等领域。其高电压承受能力、低导通电阻、高速开关性能、耐高温能力和强大的电流承载能力,使得STGF19NC60WD在各种严苛的应用环境中,能够提供卓越的性能和可靠性。通过采用STGF19NC60WD,设计人员可以有效提高系统的效率、稳定性和整体性能,满足现代电子设备对高性能元件的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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