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MOS管STF9NM60N参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.745ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF9NM60N是一款常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF9NM60N在开关电源中起到关键的开关作用,能够有效地控制电流的通断,从而实现电压的转换和稳压。其高耐压特性和低导通电阻使其在高效能和稳定性方面表现出色。

    2. 电机控制:在直流电机和无刷电机的控制电路中,STF9NM60N用于驱动和控制电机的运转。由于其高效的电流处理能力和快速的开关速度,能够提高电机的响应速度和控制精度。

    3. 不间断电源(UPS):STF9NM60N在UPS系统中用于逆变器电路,通过高效的电力转换,确保在市电断电时依然能够提供稳定的电力输出。

    4. 照明系统:在LED驱动电路中,STF9NM60N用于调节电流,以保证LED灯的亮度和寿命。其低损耗特性有助于提高整个系统的能效。

    5. 电动工具:STF9NM60N在电动工具的控制电路中,负责电流的开关和调节,确保电动工具在各种工作环境下稳定运行。

    二、参数特点:

    - 耐压高达600V:STF9NM60N具有600V的漏源极耐压能力,适用于高压应用场景,有助于提高电路的安全性和可靠性。

    - 导通电阻低:其典型的导通电阻为0.85Ω(在10V栅极驱动下),低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。

    - 最大漏极电流9A:STF9NM60N的最大连续漏极电流为9A,能够处理较大的电流,适合大功率应用。

    - 栅极电荷量低:其典型栅极电荷量为38nC,较低的栅极电荷量使得STF9NM60N能够实现快速开关,减少开关损耗。

    - 工作温度范围宽:STF9NM60N的工作温度范围为-55°C至150°C,能够在各种极端环境下稳定工作,适应性强。

    - 封装类型:采用TO-220封装,具有良好的散热性能,便于安装和应用。

    通过以上详细介绍,可以看出STF9NM60N在各种电子设备和电力系统中的重要作用,其卓越的性能和广泛的应用场景使其成为工程师们设计电路时的优选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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