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MOS管STF9NM50N参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.56ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF9NM50N是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF9NM50N在开关电源中,常被用于高频开关和功率变换电路,提供高效能量转换。其低导通电阻和快速开关特性能够显著提高系统效率,减少功耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STF9NM50N可以用作电机控制电路的关键元件。它能够处理高电流,并且具有出色的热性能,使其适合用于电机启动和运行中的高频切换操作。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STF9NM50N用于DC-AC转换部分。其高耐压和高效的电流处理能力,使其在高功率转换应用中表现出色,能够提高逆变器的整体效率。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STF9NM50N负责电池和电网之间的能量转换和调节。其稳定的性能和高可靠性,确保了在电源故障时能够快速切换并提供持续电力供应。

    5. 电动汽车充电器:STF9NM50N还被应用于电动汽车的充电器中,处理高功率的充电过程。其高效的开关能力和耐高压特性,使其能够在充电过程中提供稳定和高效的电流控制。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STF9NM50N具有高达500V的漏源极耐压(Vds),使其适用于高电压环境中的应用。高耐压确保了在高电压条件下的安全操作和可靠性。

    - 导通电阻:该器件的低导通电阻(Rds(on))在高电流条件下仅为0.85Ω。这意味着在导通状态下,损耗较低,从而提高了系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:STF9NM50N能够处理高达9A的连续漏极电流(Id),适用于需要高电流处理的应用场景。这一特性使其在电机驱动和电源管理系统中表现出色。

    - 开关速度:该MOSFET具备快速的开关速度,开关时间(tr, tf)分别为20ns和10ns。这一快速响应能力使其在高频应用中能够有效减少切换损耗,提高系统效率。

    - 热性能:STF9NM50N的结温(Tj)可高达175°C,具有优异的热性能,确保在高温环境下的可靠运行。这一特点在需要长时间连续工作的应用中尤为重要。

    综上所述,STF9NM50N在高效能量转换、高电流处理以及高可靠性等方面表现出色,使其成为电子设备和电源管理系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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