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MOS管STF9N60M2参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.78ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF9N60M2是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF9N60M2常用于开关电源中,作为主开关元件,其高效的开关性能和低导通电阻使其在高频开关电源中表现出色,提高了整体能效。

    2. LED驱动电源:在LED驱动电源中,STF9N60M2凭借其优异的电流控制能力和耐高压特性,确保了LED光源的稳定性和寿命。

    3. 逆变器:STF9N60M2适用于光伏逆变器和不间断电源(UPS)等设备中,其高压耐受能力和低损耗特性使其在这些应用中得到了广泛应用。

    4. 电机控制:在电机控制系统中,STF9N60M2可以用来驱动高功率电机,提供高效、稳定的电源管理解决方案。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,STF9N60M2被用作高效能量转换和控制元件,确保设备的高效运行和长寿命。

    二、参数特点:

    - 高压能力:该器件的击穿电压为600V,适用于高压应用场景,能够在高压环境下稳定工作。

    - 低导通电阻:STF9N60M2的典型导通电阻仅为0.85Ω(在VGS=10V时),这显著降低了导通损耗,提高了整体效率。

    - 高脉冲电流能力:其最大脉冲电流可达36A,能够应对瞬态高电流需求,适用于需要高电流冲击能力的应用。

    - 快速开关速度:STF9N60M2具有快速的开关特性,其典型的开关时间(包括上升时间和下降时间)均在数十纳秒级别,使其非常适合高频应用。

    - 低栅极电荷:该器件的总栅极电荷Qg典型值为35nC,这有助于降低驱动损耗,简化驱动电路设计,提升系统效率。

    综上所述,STF9N60M2以其高压能力、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度和低栅极电荷等优异参数特点,成为电源管理、LED驱动、逆变器、电机控制和工业自动化等领域的理想选择。其在这些应用场景中的表现,不仅提高了系统的能效和稳定性,还延长了设备的使用寿命。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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