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MOS管STF8NK100Z参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Ω内阻:1.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STF8NK100Z是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,STF8NK100Z常被用于DC-DC转换器、AC-DC转换器等电源模块中,提供高效的功率转换和稳定的电源输出。

    2. 工业控制设备:STF8NK100Z适用于工业控制设备中的电机驱动、伺服控制等应用。其高耐压和低导通电阻特性,使其在高电流负载下仍能保持高效稳定的性能。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STF8NK100Z被用于逆变器电路中,实现直流电压到交流电压的转换。其高效率和耐用性确保了太阳能系统的长期可靠运行。

    4. 电动车和混合动力车:在电动汽车和混合动力车的电池管理系统和电机驱动模块中,STF8NK100Z可以提供高效的电力控制和转换,提高车辆的整体性能和续航里程。

    5. 消费电子设备:STF8NK100Z也被广泛应用于各种消费电子设备中,如电视、电脑、音响等,提供稳定的电源管理和信号处理能力。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STF8NK100Z的击穿电压高达1000V,这使其在高压应用场景中具有出色的耐压能力,确保了电路的安全性和可靠性。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻仅为0.65Ω,较低的导通电阻能够有效降低功率损耗,提高电路的整体效率。

    - 高脉冲电流能力:STF8NK100Z的脉冲电流能力高达32A,这意味着它能够在短时间内处理高电流负载,适用于需要快速响应的应用场景。

    - 出色的热性能:STF8NK100Z具有良好的热性能,其热阻为1.8℃/W,能够在高功率应用中保持较低的结温,延长器件的使用寿命。

    - 封装和可靠性:STF8NK100Z采用TO-220封装,具有良好的机械强度和散热性能,适合于各种严苛的工业环境和高可靠性要求的应用。

    综上所述,STF8NK100Z不仅具有广泛的应用场景,而且在参数特点上也展现了其作为高性能功率MOSFET的优越性。无论是在电源管理、工业控制、太阳能发电,还是在电动汽车和消费电子设备中,STF8NK100Z都能提供卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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