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MOS管STF80N10F7参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF80N10F7是一种高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF80N10F7常用于电源管理系统,如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等。它在这些系统中可以起到高效转换和稳压的作用,确保设备在不同负载条件下正常运行。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统(BMS)中,STF80N10F7用于控制电池的充放电过程,提高能量利用效率,延长电池寿命。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STF80N10F7可用于逆变器,将直流电转换为交流电,并通过高效的开关特性,最大限度地提高能源转换效率。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,STF80N10F7常用于电机驱动和控制系统,提供精确的电流控制和高速开关能力,满足复杂的工业控制需求。

    5. 家用电器:STF80N10F7还广泛应用于家用电器中,如空调、洗衣机等,通过高效的电能转换和控制,提高设备的能效和可靠性。

    二、参数特点:

    - 高电流承载能力:STF80N10F7具有高达80A的连续漏极电流(ID),适用于高功率应用,能够承受大电流的冲击。

    - 低导通电阻:STF80N10F7的典型导通电阻(RDS(on))仅为10毫欧(mΩ),这意味着它在导通状态下具有较低的功耗和热损耗,有助于提高整体系统效率。

    - 高耐压能力:该器件的漏源极击穿电压(BVDSS)为100V,能够在较高电压下稳定工作,适应多种复杂的工作环境。

    - 快速开关速度:STF80N10F7的栅极电荷(Qg)较低,确保其能够快速开关,从而提高了开关频率,减少了开关损耗,非常适合高频应用。

    - 优良的热性能:STF80N10F7采用了先进的封装技术,具有良好的热性能,能够有效散热,保持器件在高温环境下的稳定性和可靠性。

    综上所述,STF80N10F7在各种电力电子应用中展现了其优越的性能和可靠性,成为众多工程师的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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