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MOS管STF7NM60N参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF7NM60N是一款广泛应用于电源管理和功率控制的场效应管(MOSFET)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF7NM60N被用作主开关元件,负责快速开关和调节输出电压。其高效率和快速切换能力使其成为SMPS设计中的理想选择。

    2. 电机驱动:STF7NM60N也被广泛用于直流电机驱动电路中,提供高效的电流控制和低损耗特性,确保电机平稳运行。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,该MOSFET用于逆变器部分,负责将直流电转换为交流电,提供稳定的电力输出。

    4. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,STF7NM60N作为逆变器的重要组成部分,帮助将直流电转换为可用的交流电,提升系统整体效率。

    5. 工业自动化设备:在各种工业控制系统中,STF7NM60N用于控制高功率设备,保证系统的高可靠性和长寿命。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STF7NM60N的击穿电压高达600V,适用于高压应用场景,确保在高压条件下的稳定运行。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻仅为0.85Ω,极大地减少了导通损耗,提高了整体系统效率。

    - 高电流处理能力:STF7NM60N能够处理高达7A的连续电流,适用于需要高电流处理能力的应用,如电机驱动和电源转换。

    - 快速开关速度:由于其低栅极电荷和低输入电容,STF7NM60N能够实现快速的开关速度,减少了开关损耗和发热,提高了系统的可靠性和效率。

    - 耐高温性能:STF7NM60N具备良好的热稳定性和高温性能,能够在高达150°C的结温下可靠运行,适应恶劣的工作环境。

    综上所述,STF7NM60N凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优异的耐高温性能,成为了电源管理和功率控制领域中的理想选择。在上述应用场景中,STF7NM60N能够提供高效、可靠的解决方案,满足各种高性能需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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