PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF7NM60N被用作主开关元件,负责快速开关和调节输出电压。其高效率和快速切换能力使其成为SMPS设计中的理想选择。
2. 电机驱动:STF7NM60N也被广泛用于直流电机驱动电路中,提供高效的电流控制和低损耗特性,确保电机平稳运行。
3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,该MOSFET用于逆变器部分,负责将直流电转换为交流电,提供稳定的电力输出。
4. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,STF7NM60N作为逆变器的重要组成部分,帮助将直流电转换为可用的交流电,提升系统整体效率。
5. 工业自动化设备:在各种工业控制系统中,STF7NM60N用于控制高功率设备,保证系统的高可靠性和长寿命。
二、参数特点:
- 高击穿电压:STF7NM60N的击穿电压高达600V,适用于高压应用场景,确保在高压条件下的稳定运行。
- 低导通电阻:该器件的导通电阻仅为0.85Ω,极大地减少了导通损耗,提高了整体系统效率。
- 高电流处理能力:STF7NM60N能够处理高达7A的连续电流,适用于需要高电流处理能力的应用,如电机驱动和电源转换。
- 快速开关速度:由于其低栅极电荷和低输入电容,STF7NM60N能够实现快速的开关速度,减少了开关损耗和发热,提高了系统的可靠性和效率。
- 耐高温性能:STF7NM60N具备良好的热稳定性和高温性能,能够在高达150°C的结温下可靠运行,适应恶劣的工作环境。
综上所述,STF7NM60N凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优异的耐高温性能,成为了电源管理和功率控制领域中的理想选择。在上述应用场景中,STF7NM60N能够提供高效、可靠的解决方案,满足各种高性能需求。
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