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MOS管STF7NM50N参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.78ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF7NM50N是一款高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF7NM50N常用于初级侧开关。由于其低导通电阻和高效率,能够有效降低能量损耗,提升电源转换效率。

    2. 电动工具:电动工具需要高效能和耐用性,STF7NM50N凭借其高电流处理能力和低开关损耗,在这些设备中得到广泛应用。

    3. 电机驱动器:在电机控制应用中,STF7NM50N的快速开关特性和高耐压能力使其成为理想的选择,能确保电机稳定运行。

    4. 光伏逆变器:在光伏系统中,逆变器的效率至关重要。STF7NM50N的高开关速度和低导通电阻能提升逆变器的效率和可靠性。

    5. 不间断电源(UPS):UPS系统要求高可靠性和高效能,STF7NM50N的高性能参数使其在这类应用中表现出色。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STF7NM50N的最大导通电阻仅为0.85Ω,这在同类产品中属于较低水平,有助于减少导通损耗,提升整体效率。

    - 高击穿电压(VDSS):其击穿电压高达500V,使STF7NM50N能够在高压环境下稳定运行,适用于各种高压应用场景。

    - 高电流处理能力:STF7NM50N能够处理高达7A的连续电流,这使其在需要高电流处理能力的应用中表现突出。

    - 快速开关速度:该器件具有极快的开关速度,开关时间通常在数纳秒级别,使其非常适合高频应用。

    - 热稳定性:STF7NM50N具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的电性能,这对于长时间连续运行的设备尤为重要。

    综上所述,STF7NM50N凭借其低导通电阻、高击穿电压、高电流处理能力、快速开关速度和良好的热稳定性,成为各种高效能电子设备的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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