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MOS管STF6N65K3参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:1.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STF6N65K3是一款具有高效率和可靠性的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF6N65K3被用作开关元件,以高效地将电能转换为不同的电压水平,满足各种设备的供电需求。

    2. 电机控制:STF6N65K3适用于各种电机驱动电路,特别是在高效能和快速响应要求较高的电机控制应用中。

    3. 照明系统:在LED驱动电路中,STF6N65K3可以提供高效的电流控制,提升LED灯具的整体效率和寿命。

    4. 逆变器:在太阳能和风能等可再生能源系统的逆变器中,STF6N65K3通过高效的电能转换,实现了能量的高效利用。

    5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,STF6N65K3可以用于电池的充放电管理,保证系统的安全性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STF6N65K3的低导通电阻使其在导通状态下损耗较小,提高了电路的整体效率。

    - 高耐压能力:该器件的耐压值高达650V,适用于高压应用场景,增强了系统的安全性和稳定性。

    - 快速开关速度:STF6N65K3的快速开关特性使其在高频应用中表现优异,能够有效减少开关损耗。

    - 热性能优越:该器件采用先进的封装技术,具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,延长了设备的使用寿命。

    - 低栅极电荷(Qg):STF6N65K3的低栅极电荷特性使其驱动损耗较低,有助于提高整体系统的效率。

    综上所述,STF6N65K3凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,成为了众多电子设备和电源管理系统中的理想选择。其低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度以及优越的热性能,使其在实际应用中表现出色,广受工程师和设计师的青睐。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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