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MOS管STF6N62K3参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STF6N62K3是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF6N62K3在电源管理系统中应用广泛,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器等,可以实现高效的电能转换和管理。

    2. 工业自动化:在工业自动化设备中,STF6N62K3用于驱动电机、控制阀门和其他执行机构,确保设备的高效和稳定运行。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,STF6N62K3被用来控制发动机管理系统、传感器模块和车载信息娱乐系统,提升车辆性能和安全性。

    4. 消费电子:在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中,STF6N62K3用于电池管理、电源开关和其他关键电路,保障设备的长时间稳定运行。

    5. 通信设备:STF6N62K3在通信设备中用于基站电源、数据传输设备的电源控制,提升通信系统的可靠性和效率。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STF6N62K3具有高达620V的击穿电压,适用于高压应用场合,提供更高的安全裕度。

    - 低导通电阻:这款MOSFET的导通电阻极低,能够显著降低电能损耗,提高系统效率。

    - 快速开关速度:STF6N62K3具备极快的开关速度,能够提高系统的响应速度和效率,适用于高速开关应用。

    - 高可靠性:该器件采用先进的制造工艺,具有高可靠性和长寿命,能够在恶劣环境中稳定工作。

    - 优良的热性能:STF6N62K3具有优良的热性能,能够在高功率条件下有效散热,保证器件稳定运行。

    综上所述,STF6N62K3是一款性能优越的功率MOSFET,适用于广泛的应用场景,从电源管理到工业自动化,再到消费电子和汽车电子。其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,使其成为众多高要求应用的理想选择。在各种严苛的工作环境中,STF6N62K3都能提供卓越的性能和可靠性,确保设备的高效、稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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