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MOS管STF4N62K3参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:3.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STF4N62K3是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STF4N62K3常用于电源管理系统中,尤其是在开关电源和直流-直流转换器中。其高耐压特性使其能够有效地处理高电压输入,同时提供稳定的输出。

    2. 照明设备:在LED照明驱动电路中,STF4N62K3因其低导通电阻和高开关速度的特点,能够高效地控制电流,通过调节占空比实现亮度控制。

    3. 工业自动化设备:在工业控制领域,STF4N62K3被用于电机驱动和继电器控制等应用中。其高可靠性和耐用性使其在长时间运行的设备中表现出色。

    4. 通信设备:在通信设备的电源模块中,STF4N62K3用于稳压和保护电路,确保设备在不同电压下的正常运行,提供稳定的电力支持。

    5. 消费电子:该器件还被广泛应用于消费电子产品中,如电视、音响系统等,主要用于开关电源模块,确保设备的节能和高效运行。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STF4N62K3具有高达620V的耐压能力,适合处理高压应用中的复杂电路,提供安全可靠的电压保护。

    - 低导通电阻:其导通电阻典型值仅为2.5Ω,这意味着在工作过程中热损耗小,效率高,有助于延长设备的使用寿命。

    - 高开关速度:STF4N62K3具有快速的开关速度,这对于需要快速响应的应用场景,如开关电源和脉冲电路中,非常重要。快速的开关速度可以提高电路的工作效率,减少功率损耗。

    - 封装和散热设计:该器件采用TO-220FP封装,这种封装形式有助于有效散热,确保器件在高功率条件下的稳定运行。此外,绝缘的封装设计提高了安全性,减少了电路设计中的复杂性。

    - 高可靠性:STF4N62K3经过严格的测试和质量控制,具有高可靠性和耐用性,能够在各种严苛的工作环境中保持稳定性能。

    综上所述,STF4N62K3因其高性能参数和多样的应用场景,成为许多电子工程师在设计高效可靠电路时的首选元件。在选择和应用STF4N62K3时,需要充分考虑其特性,以确保在具体应用中发挥最佳性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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