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MOS管STF40N60M2参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:34AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.088ΩVRDS(ON)ld通态电流:17AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF40N60M2是一款非常适合在高压和高频环境下使用的功率MOSFET,其广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:STF40N60M2因其高效率和低损耗特性,成为AC-DC和DC-DC转换器中的重要元件。

    2. 工业控制:在变频器和伺服驱动器中,STF40N60M2用于实现高效的电机控制。

    3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统:STF40N60M2在这些应用中需要高效的电能转换和稳定的性能。

    4. 电动汽车:STF40N60M2在电动汽车的电池管理系统和充电桩中有重要应用,保证了设备的安全性和稳定性。

    5. 高频开关电源和电子镇流器:STF40N60M2在这些设备中同样表现出色,满足快速开关和低导通电阻的需求。

    二、参数特点:

    - 高耐压性:STF40N60M2的漏源极耐压高达600V,适用于各种高压应用场合,确保设备在高压环境下的稳定运行。

    - 低导通电阻:STF40N60M2的导通电阻仅为0.08Ω,在导通状态下具有极低的功耗,提升整体电路的效率。

    - 高开关速度:STF40N60M2的开关速度非常快,具有低输入电容和低反向恢复时间,适合高频开关电源和高效能量转换系统。

    - 高脉冲电流能力:STF40N60M2能够承受较高的脉冲电流,在处理瞬时高电流冲击时表现出色,适用于电焊机和电动工具等需要高脉冲能力的设备。

    - 热性能优异:STF40N60M2采用的封装设计和材料使其具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,散热效果显著,保证器件的长时间稳定运行。

    综上所述,STF40N60M2在各类高压、高频和高效能量转换应用中展示出了优异的性能和可靠性,成为众多电力电子设备中的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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