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MOS管STF3N80K5参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:3.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STF3N80K5是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF3N80K5在高频开关电源中表现出色,具有低导通电阻和高开关速度,能够显著提高电源转换效率,降低功耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STF3N80K5可用于直流电机、步进电机等多种电机控制电路,提供稳定的电流输出和高效的电源管理。

    3. 照明设备:由于其高耐压和高效率的特点,STF3N80K5在LED驱动电路中也得到广泛应用,能够提供可靠的恒流输出,延长LED的使用寿命。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STF3N80K5用于电池管理和逆变器电路,确保系统在断电情况下仍能稳定供电。

    5. 工业控制系统:在工业自动化控制中,STF3N80K5用于各种控制器和驱动器,提供高效、可靠的电源管理和控制。

    二、参数特点:

    - 最大漏极-源极电压(Vds):800V。STF3N80K5具有极高的耐压能力,适用于高电压环境,能够有效防止电压击穿。

    - 导通电阻(Rds(on):在Vgs=10V时为2.5Ω。较低的导通电阻使得STF3N80K5在导通状态下具有较小的功率损耗,提升系统效率。

    - 最大漏极电流(Id):3A。在连续导通状态下,STF3N80K5能够提供稳定的3A电流输出,适用于中等功率的应用场景。

    - 总栅极电荷(Qg):35nC。较低的栅极电荷使得STF3N80K5具有快速的开关速度,能够在高频应用中表现出色。

    - 工作结温(Tj):-55°C至150°C。宽广的工作温度范围使得STF3N80K5能够在各种严苛的工作环境中稳定运行。

    综上所述,STF3N80K5凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度等优良特性,成为众多电力电子设备中的首选元件。在开关电源、电机驱动、照明设备、UPS以及工业控制系统等领域,STF3N80K5都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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