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MOS管STF34NM60N参数

PD最大耗散功率:250WID最大漏源电流:31.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.105ΩVRDS(ON)ld通态电流:14.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF34NM60N是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理系统。其主要应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电机驱动器。在开关电源中,STF34NM60N作为主开关管,用于高效能量转换和功率控制。其高压耐受特性使其适用于输入电压较高的电源系统,如工业电源和电信电源。此外,该元件还适用于电机驱动领域,尤其是在需要快速开关特性的场合,比如无刷直流电机(BLDC)驱动器。STF34NM60N的低导通电阻和快速开关速度使其在高效能和低功耗设计中表现突出。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STF34NM60N作为主开关管,用于高效能量转换和功率控制。

    2. 直流-直流转换器:STF34NM60N适用于输入电压较高的电源系统,如工业电源和电信电源。

    3. 电机驱动:STF34NM60N的低导通电阻和快速开关速度使其在电机驱动中表现优异。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDSS):该器件的漏源电压高达600V,使其适合处理高电压应用。

    - 漏极连续电流(ID):最大连续漏极电流为34A,这使得该器件能够处理大电流负载。

    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为0.075Ω,较低的导通电阻减少了导通损耗。

    - 栅极电荷(Qg):栅极电荷为48nC,可以在较低的栅极驱动电流下实现快速开关。

    - 热阻(RthJC):结壳热阻为0.63°C/W,这说明具备良好的热管理性能。

    综上所述,凭借其高压、高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性,成为众多高效电源和电机驱动应用的理想选择。在设计中选用可以有效提高系统的性能和可靠性,减少功耗,延长设备使用寿命。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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