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MOS管STF32NM50N参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.13ΩVRDS(ON)ld通态电流:11AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF32NM50N是一款功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STF32NM50N常用于开关电源和直流-直流转换器中,能够有效地提高能效和稳定性。它的低导通电阻和快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,STF32NM50N能够提供高效的电流控制,减少功率损耗。其高电流处理能力和耐高压特性,使其适用于工业和家用电器中的电机控制应用。

    3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效的功率转换器件,STF32NM50N的低栅极电荷和低导通电阻特性,使其在光伏逆变器中能够提供高效的电能转换和传输。

    4. UPS(不间断电源)系统:STF32NM50N在UPS系统中作为主要的功率开关器件,能够提供稳定的电力供应,保证在电网故障时依然能够正常供电。

    5. 电动汽车:随着电动汽车的发展,STF32NM50N由于其高效率和高可靠性的特点,被广泛应用于电动汽车的电池管理系统和驱动电路中。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STF32NM50N的导通电阻非常低,典型值仅为0.08欧姆。这意味着在导通状态下,它的功率损耗较小,提高了整体电路的能效。

    - 耐压特性(VDSS):该器件的漏源极击穿电压高达500V,能够承受较高的电压应力,适用于高压应用场合。

    - 电流处理能力:STF32NM50N最大连续漏极电流为32A,峰值电流高达128A,能够处理大电流负载,适用于高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):该器件的总栅极电荷较低,仅为90nC,意味着在开关过程中所需的驱动能量较小,有助于提高开关速度和效率。

    - 热性能:STF32NM50N具有较低的热阻(RθJA = 62.5 °C/W),能够有效散热,保证器件在高功率条件下的稳定工作。

    - 封装类型:STF32NM50N采用TO-220FP封装,具有良好的散热性能和机械强度,适用于各种应用环境。

    综上所述,STF32NM50N以其高效、稳定、耐用的特点,广泛应用于电源管理、电机控制、光伏逆变器、UPS系统和电动汽车等领域。其低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能,使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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