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MOS管STF30NM60ND参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.13ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF30NM60ND是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和控制系统中。其主要应用场景包括开关电源、直流-直流转换器、电机控制以及工业设备中。在这些应用中,STF30NM60ND凭借其高效的开关性能和低导通电阻,能够有效减少能量损耗,提高系统效率。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STF30NM60ND被用作开关元件,通过高频开关来调节输出电压。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压大电流环境下稳定工作,同时降低功率损耗。

    2. 直流-直流转换器:在DC-DC转换器中,STF30NM60ND的快速开关特性和低栅极电荷量使其能够快速响应电压变化,提供稳定的输出电压。这对于电池供电的设备如笔记本电脑、移动设备尤为重要,有助于延长电池寿命。

    3. 电机控制:在电机控制应用中,STF30NM60ND常用于逆变器和电机驱动电路中。其高效率和高功率处理能力,使其在电动工具、电动车等需要高可靠性和高效能的场合中得到广泛应用。

    4. 工业设备:在工业自动化设备中,STF30NM60ND被用于控制各种执行机构和电源管理系统。其高电流承载能力和抗干扰能力,使其在工业控制领域具有良好的应用前景。

    二、参数特点:

    - 耐压高:STF30NM60ND具有600V的漏源耐压能力,适用于高压应用场合。这一特点使其在需要高耐压的电源管理系统中具备优势。

    - 低导通电阻:该器件的典型导通电阻为0.125欧姆,有效降低了通态损耗。这在高效能电源设计中尤为关键,能够减少功耗和发热。

    - 高开关速度:STF30NM60ND具有快速的开关速度,典型的开关时间较短。这使其在需要高频操作的电源和转换器应用中非常合适,能够提供快速响应和高效率。

    - 低栅极电荷量:该MOSFET的低栅极电荷量特性,使其在开关过程中所需的驱动能量较低,有助于简化驱动电路设计,并减少驱动损耗。

    - 热性能优越:STF30NM60ND具有良好的热性能,能够在高功率条件下稳定工作。这种热稳定性对于长时间连续工作的设备尤为重要,能够提高系统的可靠性和寿命。

    综上所述,STF30NM60ND凭借其优越的电气性能和广泛的应用场景,成为了电源管理和控制系统中的理想选择。无论是在消费电子还是工业设备中,STF30NM60ND都展示出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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