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MOS管STF30N65M5参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.139ΩVRDS(ON)ld通态电流:11AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF30N65M5是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF30N65M5在开关电源(SMPS)、电源适配器和DC-DC转换器中被广泛使用。其高效能和低导通电阻使其成为高效率电源设计中的理想选择。

    2. 照明系统:在LED驱动电路中,STF30N65M5提供了高效的电流控制和电压转换能力,确保LED照明系统的稳定和高效运行。

    3. 电机控制:该器件在电机驱动和控制系统中用于高效的功率转换和控制,广泛应用于工业自动化和家电中。

    4. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统(BMS)和逆变器中,STF30N65M5提供了高效能的电力控制解决方案,支持电动汽车的高性能运行。

    5. 可再生能源:在太阳能和风能转换系统中,STF30N65M5用于逆变器和控制电路,帮助提高能源转换效率和系统可靠性。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:该MOSFET的最大漏源电压为650V,最大连续漏极电流为30A,适合高电压、大电流应用。

    - 低导通电阻:STF30N65M5具有极低的导通电阻(R_DS(on)),典型值为0.065Ω,这有助于减少功率损耗,提高效率。

    - 开关速度:该器件具有快速的开关速度,降低了开关损耗,适合高频应用。

    - 热性能:STF30N65M5具有良好的热性能,其热阻(R_thJC)较低,确保在高功率条件下器件的稳定运行。

    - 封装类型:该器件采用TO-220封装,提供了良好的散热性能和机械强度,适合在各种恶劣环境中使用。

    综上所述,STF30N65M5是一种性能优越、应用广泛的功率MOSFET,在电源管理、照明、电机控制、电动汽车和可再生能源等领域都有着重要的应用。通过其高效的电力转换能力和优异的热性能,STF30N65M5为现代电子设备提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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