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MOS管STF2NK60Z参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:1.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STF2NK60Z是一种常用于高效能电源管理和切换应用的N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:STF2NK60Z在DC-DC转换器和AC-DC转换器中广泛应用,其高效能和低导通电阻使其在电能转换过程中表现优异,提高了转换效率,减少了能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STF2NK60Z能够提供高效的电流传输和稳定的工作性能,适用于各种工业电机和消费类电器的驱动电路。

    3. 照明系统:在LED照明系统中,STF2NK60Z被用于恒流驱动电路和调光控制电路,能够有效提高LED的亮度控制精度和能源使用效率。

    4. 电池管理系统:在锂电池管理系统中,STF2NK60Z用于电池充放电管理和保护电路,能够确保电池的安全性和长寿命。

    5. 音频放大器:STF2NK60Z在音频放大器电路中充当输出级元件,提供高效的电流传输和低失真输出,提升音频放大器的性能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STF2NK60Z的典型导通电阻非常低,通常在0.3欧姆左右。这使其在工作时的能量损耗较小,提升了整体电路的效率。

    - 漏源电压(VDS):其最大漏源电压可达600V,使得STF2NK60Z能够在高电压环境下稳定工作,适用于高压应用场景。

    - 漏极电流(ID):最大持续漏极电流为2A,能够满足中小功率设备的电流需求。

    - 栅源电压(VGS):栅源电压的最大额定值为±30V,确保了在不同的驱动电压下STF2NK60Z的安全可靠工作。

    - 总栅电荷(Qg):典型总栅电荷为12nC,这表明STF2NK60Z具有较快的开关速度,适合高速开关应用。

    综上所述,STF2NK60Z凭借其低导通电阻、高耐压能力和快速开关性能,在各种电源管理、驱动控制和保护电路中都有着广泛的应用,成为众多设计工程师的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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