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MOS管STF2N80K5参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:4.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STF2N80K5是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要应用于高压开关电源、照明设备和不间断电源(UPS)等领域。由于其卓越的电气性能和可靠的开关特性,它在各种电源管理和转换设备中发挥着关键作用。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF2N80K5在开关电源中的应用非常广泛。其高耐压特性(800V)使其能够处理高电压输入,适用于AC-DC和DC-DC转换器中。高开关速度和低导通电阻的特性有助于提高转换效率,减少能量损耗。

    2. 照明设备:在现代照明设备中,特别是LED驱动器中,STF2N80K5因其高效率和低功耗的特性受到青睐。它能有效控制大功率LED的电流,提高系统的整体效率,并延长灯具的使用寿命。

    3. 不间断电源(UPS):对于UPS系统,STF2N80K5提供了高可靠性的功率转换解决方案。其高击穿电压和低漏电流特性确保了系统在各种负载条件下的稳定运行。此外,MOSFET的快速响应能力能够在电源中断时迅速切换,保护设备安全。

    二、参数特点:

    - 耐压高达800V:STF2N80K5的耐压能力非常出色,能够应对高压环境下的应用需求。这使其在高压设备中具有广泛的适用性。

    - 导通电阻(RDS(on))低:该器件的低导通电阻(约2Ω)确保了在导通状态下的低功耗,从而提高了系统效率,减少了发热。

    - 高速度开关特性:STF2N80K5具备快速的开关速度,适用于高频率开关应用。这不仅有助于提高能效,还能够降低电磁干扰(EMI)。

    - 漏电流低:低漏电流特性确保了在关断状态下的功率损耗最小化,适合低功耗应用场景。

    - 封装和热性能:STF2N80K5采用了TO-220FP封装,具有优良的热管理性能,能够在高功率条件下有效散热,保证器件的长期可靠性。

    综上所述,STF2N80K5以其高耐压、低导通电阻和高开关速度等优点,在各种需要高效功率转换和控制的应用中占据重要地位。它不仅提高了设备的性能和可靠性,还在节能和环境保护方面发挥了积极作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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