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MOS管STF2N62K3参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STF2N62K3是一种N沟道功率MOSFET,其主要应用于电源管理、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动等领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF2N62K3在电源管理中,以其低导通电阻和快速开关特性,有效地减少了能量损耗,提高了系统的效率。

    2. 开关电源:在开关电源中,STF2N62K3得益于其高击穿电压和高速度开关能力,使其能够承受高电压冲击,并迅速响应控制信号,实现精确的电压和电流控制。

    3. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,STF2N62K3能有效地将电压转换为所需的不同电平,广泛用于电池供电设备和便携式电子产品中。

    4. 电机控制和LED驱动:STF2N62K3在电机控制和LED驱动中,高可靠性和稳定性使其成为控制和驱动大功率负载的理想选择,能够提供稳定的输出,确保设备的正常运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STF2N62K3的最高漏源电压(VDS)为620V,适用于高压应用场合。

    - 低导通电阻:其导通电阻(RDS(on))为3.6Ω(典型值),这使其在开关状态下能量损耗较低。

    - 快速开关速度:其典型的栅极电荷(Qg)约为4.5nC,确保了高频应用中的快速响应。

    - 热稳定性:STF2N62K3能够在较宽的温度范围内工作,具备较高的热稳定性,适合于各种复杂环境。

    - 紧凑的封装:STF2N62K3采用SOT-223封装,具有良好的热管理能力,适用于紧凑的电路板设计。

    综上所述,STF2N62K3凭借其高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于各种电力电子设备中,为系统的高效稳定运行提供了可靠保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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