PD最大耗散功率:3WID最大漏源电流:0.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:4.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA
立即咨询一、应用场景:
1. 开关电源:STF2HNK60Z常用于开关电源(SMPS)中,特别是AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻和快速开关速度可以提高转换效率,降低功耗,从而在高效能量转换中发挥重要作用。
2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STF2HNK60Z可以作为逆变器的一部分,为电机提供精确的控制。其高耐压和高电流处理能力使其适用于各种类型的电机控制系统,尤其是在需要高可靠性的工业应用中。
3. 照明系统:在LED照明和HID灯的电源设计中,STF2HNK60Z可以提供稳定的电流控制。它的低损耗特性使得灯具在提供足够亮度的同时,能够显著降低功耗,从而延长灯具寿命和提高整体系统的能效。
4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车或储能系统的电池管理系统中,STF2HNK60Z用于电池的充放电控制。其低导通电阻和高开关速度有助于实现高效的能量管理,确保电池安全和延长电池寿命。
5. 电力传输设备:STF2HNK60Z在高压电力传输设备中也有应用,其高击穿电压和耐高温性能使其能够承受苛刻的工作环境,适合用作隔离开关或保护电路中的关键元件。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):STF2HNK60Z的低导通电阻使得其在导通状态下的功耗极低,这对于降低整个系统的功耗至关重要。典型值通常在数毫欧姆范围内,这使其非常适合高效能量转换的应用。
- 高击穿电压:该器件的击穿电压高达600V,使其能够在高压环境下稳定工作。这一特性非常适合需要处理高电压的电力传输和工业控制系统。
- 高脉冲电流能力:STF2HNK60Z能够处理高达几十安培的脉冲电流,这对于需要应对瞬态电流的应用如电机启动或电源开关来说非常关键。
- 快速开关速度:由于其栅极电荷低,STF2HNK60Z能够实现快速的开关速度,这有助于提高系统的整体效率并减少开关损耗。在高频开关电源应用中,快速开关速度尤为重要。
- 热性能优异:该器件的热阻低,配合合适的散热设计,STF2HNK60Z能够在高功率应用中保持低结温,从而提高系统的可靠性和寿命。
综上所述,STF2HNK60Z 作为一种高效能、可靠性强的N沟道MOSFET,被广泛应用于各类电力电子和电源管理系统中。其优异的电气特性和热性能使其成为许多工程师的首选器件。
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