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MOS管STF28NM50N参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.158ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF28NM50N是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF28NM50N在开关电源中充当高效的开关器件,能够在高频下高效地控制电流流动,减少能量损耗。

    2. 电动工具:由于其高电流处理能力和低导通电阻,STF28NM50N常被用于电动工具中,确保工具在高负载下的稳定运行。

    3. 电池管理系统:在电动汽车和便携式电子设备中,STF28NM50N被用于电池保护电路,防止过流和过热现象。

    4. 逆变器:STF28NM50N在逆变器中应用,能够有效地将直流电转换为交流电,应用于太阳能发电系统和不间断电源系统(UPS)。

    5. 照明系统:STF28NM50N也用于高效LED驱动电路中,提高照明系统的能效和可靠性。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):500V。STF28NM50N具有高耐压能力,适用于高压应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on):0.135Ω。低导通电阻保证了在开关状态下的低功耗和高效率。

    - 漏极电流(Id):28A。在高电流负载下,STF28NM50N仍能保持稳定的工作状态。

    - 栅极电荷(Qg):60nC。较低的栅极电荷使得STF28NM50N在高频应用中能够快速切换,提高了电路的整体效率。

    - 热阻(Rthj-c):1.3℃/W。良好的热阻特性使得STF28NM50N在高功率应用中具有出色的散热性能。

    综上所述,STF28NM50N以其卓越的性能参数和广泛的应用场景,在功率电子器件中占据了重要地位,成为了现代电子设备中不可或缺的核心组件。其高电流处理能力和优异的热管理性能,确保了在严苛条件下的稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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