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MOS管STF26N60M2参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.165ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF26N60M2是一种600V、26A的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF26N60M2在开关电源中充当开关元件。其高耐压和高电流特性使其非常适合用于高效能和高频率的开关电源设计,尤其是在需要高功率输出和快速开关的场合。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STF26N60M2被用作H桥电路中的开关元件。其低导通电阻和高开关速度能够有效降低能量损耗,提高电机的运行效率。

    3. 逆变器:STF26N60M2常用于太阳能和风能等可再生能源系统中的逆变器电路。它能够处理高电压和高电流的转换,并且能够在恶劣的环境条件下可靠工作。

    4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,STF26N60M2用于电池管理系统,以控制电池的充电和放电过程。其高效能和高可靠性有助于延长电池寿命并提高系统的整体性能。

    5. 工业控制设备:STF26N60M2被广泛应用于各种工业控制设备中,如PLC、继电器控制系统和自动化设备。其高电压耐受能力和稳定的开关性能使其成为工业应用中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):600V,这使得STF26N60M2能够在高电压环境下工作,适合于需要高电压开关的应用。

    - 最大漏极电流(Id):26A,STF26N60M2能够处理较大的电流,使其适合高功率应用。

    - 导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值),低导通电阻意味着在开关过程中能量损耗较低,提高了整体效率。

    - 门极阈值电压(Vgs(th)):2-4V,较低的门极阈值电压使其能够在较低的驱动电压下正常工作,适用于低压控制电路。

    - 总栅电荷(Qg):110nC(典型值),低栅电荷特性确保了快速开关速度,有助于提高系统的开关频率和效率。

    - 工作温度范围:-55°C至150°C,宽广的工作温度范围使得STF26N60M2在各种环境条件下都能稳定工作,具有良好的环境适应性。

    综上所述,STF26N60M2凭借其高电压、高电流、低导通电阻和快速开关特性,在开关电源、电机驱动、逆变器、电池管理系统和工业控制设备中发挥着重要作用。其稳定性和高效能使其成为电力电子领域中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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