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MOS管STF25NM60N参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF25NM60N是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。下面将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF25NM60N在开关电源和直流-直流转换器中起着重要作用。由于其低导通电阻和高开关速度,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:STF25NM60N常用于电机驱动电路中,尤其是无刷直流电机和步进电机。其高电流处理能力和快速开关特性,使其在高频率工作条件下依然表现出色。

    3. 工业控制:在工业自动化设备中,STF25NM60N用于控制大功率负载,如加热器、照明和电磁阀等。其高耐压和高电流特性,确保了在严苛环境下的稳定运行。

    4. 逆变器:STF25NM60N在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中得到广泛应用。其高效率和高可靠性,使其成为这类应用中的理想选择。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STF25NM60N用于电池管理系统、车载充电器和电动助力转向系统中。其优异的电气性能和耐用性,确保了汽车电子系统的高效和安全运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STF25NM60N的导通电阻典型值为0.125欧姆,这意味着在导通状态下,电能损耗较低,有助于提高系统效率。

    - 高耐压能力:STF25NM60N的漏源极耐压为600V,能够适应高电压工作环境,适用于各种高压应用场景。

    - 高电流处理能力:STF25NM60N的连续漏极电流为25A(@ 25°C),能够处理较大的电流负载,适用于大功率电路。

    - 快速开关速度:STF25NM60N的开关速度快,有利于提高电路的工作频率,减少开关损耗,提升整体效率。

    - 封装形式:STF25NM60N采用TO-220封装,具有良好的散热性能,便于安装和使用。

    综上所述,STF25NM60N凭借其优异的电气性能和多样化的应用场景,成为许多工程师的首选。在电源管理、电机驱动、工业控制、逆变器和汽车电子等领域,STF25NM60N发挥着重要作用。无论是在高压环境还是高电流负载下,STF25NM60N都能提供可靠且高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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