PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:STF23NM50N在开关电源(SMPS)中广泛使用,特别是作为主开关元件。它能够高效地转换电压和控制电流,从而提高整个系统的能效。
2. 电机驱动:在电机控制应用中,STF23NM50N常用于驱动直流电机和步进电机。其低导通电阻和高开关速度使其能够快速响应控制信号,从而实现精确的电机控制。
3. 不间断电源(UPS):STF23NM50N在UPS系统中发挥重要作用,用于管理电池充电和逆变器的开关操作,确保在断电时持续提供稳定的电力。
4. 太阳能逆变器:在太阳能系统中,STF23NM50N用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,支持家庭和商业电网的使用。
5. 电动车充电桩:在电动车充电基础设施中,STF23NM50N用作充电控制器件,确保充电过程中的电流控制和安全性。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):该器件的导通电阻非常低,这意味着它在工作时产生的功耗较小,从而提高了系统的能效。这对于需要高效电能传输的应用尤为重要。
- 高击穿电压:STF23NM50N的击穿电压为500V,使其能够在高压环境下安全运行。这对于电源管理和电机驱动等高压应用至关重要。
- 高开关速度:该MOSFET具有高开关速度,能够快速切换状态,从而支持高频应用。这一特性在逆变器和电源转换器中尤为重要,因为它有助于减少开关损耗和电磁干扰。
- 高热性能:STF23NM50N采用先进的封装技术,具备优良的散热性能。这使得它在高功率应用中能够维持稳定的工作温度,从而延长器件的使用寿命。
- 低栅极电荷(Qg):较低的栅极电荷使得STF23NM50N能够在低驱动电压下高效工作,从而减少驱动电路的复杂性和成本。
综上所述,STF23NM50N凭借其优异的电气性能和广泛的应用范围,成为了许多电子和电力系统中的首选器件。其高效能、可靠性和易于驱动的特点使其在市场上具有广泛的需求。
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