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MOS管STF21N65M5参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.179ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF21N65M5是一款高压N沟道MOSFET,主要用于需要高电压和高功率处理的电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF21N65M5作为主要的开关器件,用于转换和控制电源电压。其高耐压和低导通电阻特性使其适用于各种高效率的电源设计,能有效减少功率损耗,提高整体系统的可靠性和性能。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STF21N65M5可以作为电机驱动电路的开关元件。由于其能够承受较高的电压和电流,适合用于步进电机、直流电机和无刷电机等驱动系统中,确保电机平稳、高效运行。

    3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他电力逆变系统中,STF21N65M5能够处理高电压、高电流的信号,并提供稳定的电力转换。其高耐压和低开关损耗的特性使其在逆变器中表现优异,提高能效和系统稳定性。

    4. 工业控制:在各种工业控制设备中,如变频器、伺服驱动系统等,STF21N65M5用于高压开关操作。它的高耐压特性和低导通电阻使其在严苛的工业环境中表现稳定,能够承受较高的负载。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电池管理系统(BMS)、电动汽车充电桩等,STF21N65M5能够处理高电压、高电流的开关操作。其高可靠性和耐用性使其适用于汽车行业对电子元件的严格要求。

    二、参数特点:

    耐压(V_DS):STF21N65M5的最大漏极-源极电压为650V。这使其能够在高电压环境下稳定工作。

    导通电阻(R_DS(on)):该MOSFET具有低导通电阻,有助于减少功率损耗,提高效率。

    最大漏极电流(I_D):STF21N65M5可以承受较大的漏极电流,使其适用于高功率应用。

    开关速度:其开关速度较快,适合高频开关操作。

    热稳定性:具有良好的热稳定性,能够在较高温度下可靠工作。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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