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MOS管STF20NM60D参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.29ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF20NM60D是一款常用的N沟道场效应晶体管(MOSFET)型号,广泛应用于各种电源管理和功率放大的场景中。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:STF20NM60D可用作电源开关,用于各种电子设备和工业应用中的开关电源,提供高效的电源管理和电压调节。

    2. 功率放大:在音频放大器、功率放大器等电路中,STF20NM60D可作为功率输出器件,提供稳定可靠的功率放大功能。

    3. 电机驱动:在电动工具、电动车辆等系统中,STF20NM60D可以用作电机驱动器件,控制电机的启停和转速。

    4. 照明应用:在LED照明和其他高功率照明系统中,STF20NM60D可用作LED驱动器件,提供稳定的电流输出和亮度调节功能。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能电池板和逆变器之间的电能转换中,STF20NM60D可用作逆变器开关管,实现太阳能电能的有效利用。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STF20NM60D具有低导通电阻,能够降低功率损耗和提高系统效率。

    2. 高耐压能力:具备较高的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    3. 快速开关速度:具有快速的开关速度,能够实现快速的开关动作,提高系统的响应速度和稳定性。

    4. 良好的热特性:具备良好的热导性能和散热特性,能够有效地散去功率,提高器件的可靠性和寿命。

    5. 集成保护功能:STF20NM60D内部集成了过电流保护、过温保护等多种保护功能,能够保护器件和系统免受损坏。

    总的来说,STF20NM60D作为一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET)型号,在电源管理、功率放大和电机驱动等领域具有广泛的应用前景,并且具备低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度、良好的热特性和集成保护功能等诸多优秀特点,适合各种要求性能稳定可靠的电子系统设计。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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